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| 1 | 电阻式半导体气体传感器显示文摘综合介绍了电阻式半导体气体传感器的特性,重点对电阻式半导体气体传感器的工作原理、制作方法和加速传感器响应的措施进行了较为详细的阐述。综合该领域国内外研究现状,展望了电阻式半导体气体传感器的发展方向。 | 张强 管自生 | 2006 | 仪表技术与传感器2006，，7： | 26 |
| 2 | ZnFe_2O_4纳米粉体的室温固相合成及其气敏特性研究显示文摘以无机盐为原料 ,采用室温固相化学反应法合成了尖晶石型复合氧化物ZnFe2 O4,X射线粉末衍射 (XRD)、透射电镜(TEM )等表征结果表明 ,固相反应完全 ,平均粒径约为 3 0nm左右 ;将样品制成烧结型气敏元件 ,发现在较低的工作温度时 ,对H2 | 牛新书 刘艳丽 徐甲强 蒋凯 | 2002 | 功能材料2002，33，4： | 23 |
| 3 | 超细三氧化钨的制备及催化应用显示文摘介绍了近年来国内外对WO3粉体、薄膜及介孔三氧化钨的制备方法和研究进展,以及三氧化钨催化剂的应用,并对WO3催化剂今后的研究发展提出了一些看法。 | 黎先财 柯勇 杨沂凤 饶国华 | 2003 | 中国钨业2003，18，4： | 18 |
| 4 | 低温固相反应合成Zn_2SnO_4及其气敏性能显示文摘以SnCl4·5H2O,Zn(NO3)2·6H2O和NaOH为原料,用低温固相反应法合成尖晶石型复合氧化物Zn2SnO4纳米晶体。用X射线衍射、透射电镜表征粉末的晶体结构和形态。结果表明固相反应完全,合成的前躯体经600℃煅烧1h后可以得到单相的Zn2SnO4粉体,颗粒形状为球形,平均粒径约为50nm。将合成样品制成烧结型旁热式气敏元件,测试了元件的敏感特性。气敏测试结果表明尖晶石型复合氧化物Zn2SnO4为n型半导体气敏材料,在工作电压为5.0V时,材料对浓度为30μL/L的H2S有较高的灵敏度,其灵敏度高达75倍。 | 徐甲强 贾晓华 娄向东 李超 | 2006 | 硅酸盐学报2006，34，3： | 17 |
| 5 | WO_3纳米微粒的制备及气敏特性研究进展显示文摘综述了近年来国内外对WO3纳米微粒作为气敏材料时的制备方法进展,对WO3 的气敏机理进行了探讨,并总结了不同化合物的掺杂对其气敏性能的影响。 | 徐甲强 牛新书 刘艳丽 | 2002 | 功能材料2002，33，1： | 17 |
| 6 | 共沉淀法SnO_2-WO_3粉体的气敏性能研究R&D显示文摘采用化学共沉淀法制得不同掺杂量的SnO2-WO3粉体,探讨了掺杂量、热处理温度、元件工作温度与WO3气敏性能的关系。研究发现:SnO2的添加抑制了WO3晶粒的生长,提高了其气体灵敏度。其中以0.5%(质量分数)的掺杂量为最佳,可进行H2S气体的选择性检测。 | 牛新书 刘艳丽 胡平 徐甲强 | 2002 | 电子元件与材料2002，21，1： | 16 |
| 7 | 气相法WO_3纳米粉体的H_2S气敏性能研究显示文摘采用气相反应法,以纯钨丝为原料,制备了WO3粉末,又以此WO3粉末为基材,掺用溶胶--凝胶制成的TiO2,制作了H2S气敏传感元件。在性能测试中发现,该元件对浓度为10×10-6H2S的灵敏,有较高的灵敏度和较好的响应-恢复特性。文中从材料的微观结构入手,对材料的敏感机理作了分析。 | 林金阳 黄世震 林伟 陈伟 黄建敏 | 2006 | 传感技术学报2006，19，3： | 15 |
| 8 | 半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述显示文摘本文结合半导体金属氧化物的电学特性,从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发,对其气敏机理作一概述。由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关,因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义。 | 常剑 蒋登高 詹自力 宋文会 | 2003 | 传感器世界2003，9，8： | 15 |
| 9 | 金属氧化物纳米微粒的制备研究进展显示文摘综述了制备金属氧化物纳米微粒的主要方法,即固相法(固相热分解法、高温固相化学反应法、室温固相化学反应法)、液相法(沉淀法、水解法、溶胶-凝胶法、微乳液法、水热法、溶剂热法、辐射合成法)、气相法等.讨论了各种制备方法的优缺点及研究进展,指出了金属氧化物纳米微粒制备研究中存在的问题及研究方向. | 徐甲强 陈玉萍 王焕新 | 2004 | 郑州轻工业学院学报(自然科学版)2004，19，1： | 13 |
| 10 | 含钨废料中提取钨的研究显示文摘随着化工行业的发展,含钨废料也越来越多。为了充分回收利用钨和建设绿色化工,本文研究并完成了从含钨废料中回收制备三氧化钨的工艺流程设计及其基本工艺参数的确定。实验证明,从含钨废料中回收制备三氧化钨是可行的。通过大量的探索,原料经煅烧、用氨水浸取,通过蒸发结晶制仲钨酸铵。当仲钨酸铵结晶温度为70℃时,目前钨的最高回收率为75.6%。 | 黄新 彭书杰 孙亚丽 李涛 唐楷 余祖孝 | 2008 | 中国矿业2008，17，11： | 11 |
| 11 | 纳米WO_3薄膜显示文摘综述了纳米WO_3,薄膜的制备、表征及其在电致变色、气敏材料、共催化剂等方面的应用和作用原理。 | 李小芳 张亚利 孙典亭 | 2003 | 材料导报2003，17，F09： | 10 |
| 12 | 硫化氢气体检测方法及其传感器研究发展现状显示文摘本文对硫化氢气体检测的常用方法及其原理,包括碘量法、亚甲基蓝分光光度法、汞盐滴定法、电化学方法、气相色谱法和吸收光谱法,并对三类硫化氢气体传感器(金属氧化物吸附传感器、电化学传感器及基于光学原理的传感器)的研究发展现状作了综述。对各类型的硫化氢传感器的优缺点和局限性作了简要评述,并对其今后的发展趋向进行了预测(引用文献55篇)。 | 曾永达 黄国家 李悦 | 2019 | 理化检验(化学分册)2019，55，7： | 10 |
| 13 | 氧化铟纳米材料的水热合成、结构表征及其气敏性能研究显示文摘通过水热法制备了立方结构纳米In2O3的前驱体In(OH)3,研究了煅烧温度对颗粒尺寸和分散性的影响.前躯体In(OH)3和In2O3的结构、形貌以及组成分别由XRD、TEM、TPD、TG-DSC和XPS表征.结果表明,600℃煅烧可以得到50-80nm立方形的纳米In2O3,颗粒大小均匀、分散性好.随着煅烧温度的升高,纳米In2O3的平均粒径逐渐增大,分散性能下降;XPS元素分析表明,由于吸附氧的存在,合成的纳米In2O3与化学计量比存在偏差;氧化铟表面存在着四种类型的O,和In2O3对氧气的程序控温脱附结果一致.用静态配气法测试了元件的气敏性能,结果表明煅烧温度为600℃时气敏性能最好;通过和化学沉淀法制备的样品进行对比,发现水热法合成的样品具有更好的灵敏度和选择性. | 徐甲强 王晓华 王国庆 王焕新 | 2007 | 传感技术学报2007，20，1： | 9 |
| 14 | NdFeO_3纳米晶的合成及气敏性能显示文摘以Nd2O3,Fe(NO3)3·9H2O,硝酸(1∶1)为原料,在柠檬酸体系中用溶胶凝胶法合成了具有钙钛矿结构的稀土复合氧化物NdFeO3;用XRD和TEM对产物的组成、颗粒大小、形貌进行了表征;结果表明:产物为纳米颗粒,平均粒径为28nm左右,且颗粒均匀。还采用静态配气法测试了材料的气敏性能,发现NdFeO3对H2S有很高的灵敏度,且抗干扰能力强,有较好的工业应用前景。 | 牛新书 杜卫民 杜卫平 蒋凯 | 2003 | 中国稀土学报2003，21，5： | 9 |
| 15 | WO_3基气敏材料研究进展显示文摘综述了近年来国内外对WO3 基气敏材料的研究状况 ,对制备工艺、防团聚技术、掺杂效应及气敏机理等进行了分析比较 。 | 牛新书 刘艳丽 徐甲强 | 2001 | 化学研究与应用2001，13，6： | 6 |
| 16 | 稀土掺杂氧化铟低功耗汽油敏感材料的研究显示文摘采用微乳液法合成了纳米In2O3粉体,分别采用浸渍法和共沉淀法制备了掺杂Y2O3和Nd2O3的氧化铟。利用X射线衍射、透射电镜对氧化铟的结构和形貌进行了表征;采用静态配气法对氧化铟的气敏特性进行了测试。结果表明:微乳液法合成的氧化铟经600℃,1 h煅烧后,颗粒尺寸约20 nm,且分布均匀。未掺杂的氧化铟气敏元件对汽油有较高的灵敏度,但选择性不好;氧化钕和氧化钇掺杂后,在3.0 V工作电压下大大提高了氧化铟对汽油的灵敏度和选择性,氧化钇掺杂量为5.0%时对汽油的最大灵敏度达到了285.1,功耗只有200 mW。 | 徐甲强 王晓华 王焕新 沈嘉年 | 2006 | 中国稀土学报2006，24，3： | 5 |
| 17 | Ce掺杂纳米WO_3的制备及其气敏性能研究显示文摘在乙醇和水溶液体系中,以钨酸铵和硝酸铈为原料采用溶胶-凝胶法制得纳米级Ce掺杂的WO3粉体。用XRD测试了纳米颗粒的晶相和晶体结构,发现掺杂少量Ce的WO3粉体晶型单一,结晶度增强。用扫描电镜和比表面测试仪表征了WO3基纳米粉体。用TG-DTA测试5%Ce+WO3干凝胶,结果表明所制备的含吸附水和有机物的5%Ce+WO3纳米颗粒在450℃下反应完全。纯WO3和Ce掺杂的WO3厚膜元件对H2S有很好的灵敏度和选择性。与纯WO3元件相比,掺杂Ce的WO3元件在相对湿度RH=20%~70%有好的抗湿能力,稳定性增强。 | 桂阳海 崔瑞立 牛连杰 张勇 李郤里 | 2010 | 功能材料2010，41，8： | 4 |
| 18 | 氧化钨基半导体气体传感器的研究进展显示文摘近年来,氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器由于可用来检测低浓度二氧化氮、二氧化硫、臭氧和氨气等气体而受到广泛关注。将WO_3基材料分为4类:纯WO_3材料、氧化物-WO_3复合材料、贵金属-WO_3复合材料和有机物-WO_3复合材料,总结近年来中外文献中WO_3基材料对不同气体的响应性能,展现近年来国内外WO_3基半导体气体传感器的研究进展。最后根据已有的工作进展,提出合成新型纳米材料、降低工作温度、提高传感器选择性应成为WO_3基半导体气体传感器下一阶段的研究重点。 | 王杰 耿欣 张超 | 2016 | 材料导报2016，30，1： | 4 |
| 19 | 传感器薄膜结构的改进与响应时间的分析显示文摘提出了一种具有立体敏感效应的新型气体传感器敏感薄膜结构模型,即将传统的厚度均匀的平面型传感器敏感薄膜改进为由多条半圆柱凸起与多条沟槽相间隔的立体敏感结构。并根据扩散反应理论对新型和传统型2种薄膜结构的传感器响应时间进行了分析与比较,证明新型敏感结构的传感器具有更短的响应时间;分析了半圆柱凸起间距的相对系数对传感器响应时间的影响,得出了最佳取值。 | 杨英 陈向东 蔡镔 | 2009 | 传感器与微系统2009，28，5： | 4 |
| 20 | 掺SiO_2的WO_3纳米粉体的合成及其NO_2气敏特性显示文摘采用sol-gel法制备了一系列掺有SiO2的WO3纳米粉体,通过X射线衍射仪、透射电镜等测试手段分析了材料的微观结构,测试了材料的气敏性能,探讨了煅烧温度、掺杂量、工作温度等对材料气敏性能的影响。研究发现:适量SiO2的掺杂有利于提高WO3对NO2气体的灵敏度,其中SiO2掺杂量为3%(质量分数)的气敏元件,在150℃工作温度下,灵敏度达713,响应–恢复时间分别为7s与26s。对WO3的NO2气敏机理也进行了探讨。 | 魏少红 张岩 朱会敏 牛新书 | 2006 | 电子元件与材料2006，25，9： | 4 |
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