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| 1 | ZnS掺杂WO_3纳米粉体的制备及H_2S气敏性能显示文摘采用共沉淀法制备了w(ZnS)为0-0.2%的ZnS-WO3纳米粉体,利用X射线衍射仪分析了粉体的微观结构,探讨了ZnS掺杂量、工作温度对由所制粉体制成的气敏元件的气敏性能的影响。研究发现:适量的ZnS掺杂抑制了WO3晶粒的生长,提高了粉体对H2S的灵敏度。其中,掺杂ZnS的质量分数为1.0%的烧结型气敏元件,在160℃时对体积分数为0.001%的H2S的灵敏度达到87,响应时间7s,恢复时间12s。 | 魏少红 冯青琴 牛新书 | 2010 | 电子元件与材料2010，29，2： | 5 |
| 2 | 催化剂对WO_3基燃气敏感元件的影响显示文摘在WO3粉体材料中加入催化剂(Pt,PtO2,Pd或PdCl2),于600℃烧结1 h制成旁热式厚膜可燃性气体敏感元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度(β)的关系以及催化剂对元件的响应–恢复时间的影响。结果表明:WO3基元件掺入质量分数为0.5%的催化剂,在加热功率为600 mW时,能提高元件的灵敏度2~10倍,元件的响应时间缩短63%~78%,恢复时间缩短84%~95%。。 | 邓永和 曾庆丰 王冬青 | 2007 | 电子元件与材料2007，26，5： | 5 |
| 3 | 氧化钨基半导体气体传感器的研究进展显示文摘近年来,氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器由于可用来检测低浓度二氧化氮、二氧化硫、臭氧和氨气等气体而受到广泛关注。将WO_3基材料分为4类:纯WO_3材料、氧化物-WO_3复合材料、贵金属-WO_3复合材料和有机物-WO_3复合材料,总结近年来中外文献中WO_3基材料对不同气体的响应性能,展现近年来国内外WO_3基半导体气体传感器的研究进展。最后根据已有的工作进展,提出合成新型纳米材料、降低工作温度、提高传感器选择性应成为WO_3基半导体气体传感器下一阶段的研究重点。 | 王杰 耿欣 张超 | 2016 | 材料导报2016，30，1： | 4 |
| 4 | 退火处理对Ti-WO_3薄膜的结构和气敏特性的影响显示文摘用X射线衍射和透射电镜表征了直流磁控溅射法制得的Ti-WO3薄膜的晶型、晶格常数、粒径等。研究了退火对Ti-WO3薄膜气敏性质和微结构的影响,找出了最佳退火温度和工作温度;并对机理进行了分析。结果表明:450℃退火的薄膜的气敏效应很好,最佳工作温度在150℃左右; | 张召涛 杨晓红 马勇 孙彩芹 闫勇彦 朱绍平 | 2008 | 传感器与微系统2008，27，8： | 4 |
| 5 | WO_3基的掺杂及其气敏感特性的研究显示文摘在三氧化钨粉体材料中加入4wt%瓷粉和不同质量比的金属及金属氧化物,以恒温600℃烧结1小时制成傍热式厚膜可燃性气体敏感元件。本文采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与电导率、元件灵敏度、响应与恢复特性,讨论了元件的气敏性能和加热功率的关系。实验结果显示WO3基元件掺入一定的杂质在加热功率为600mW时能开发成适合不同燃气的敏感元件。 | 邓永和 张志纯 谢治民 谢增荣 | 2007 | 电子质量2007，，3： | 2 |
| 6 | 掺杂WO3基丙酮气敏元件的研制显示文摘在WO3粉体材料中加入一定质量分数(w)的掺杂剂(Pt、Pd、PtO2、PdCl2、SnO2、SiO2、Al2O3),于恒温600℃烧结1h制作成旁热式丙酮气体敏感元件。采用静态电压测量法,研究和分析了不同的加热电压与不同掺杂配方元件灵敏度(β)的关系,进一步分析了掺杂剂对元件的响应与恢复时间的影响。实验结果表明,掺入质量分数为0.5%的Pt粉,在加热功率为600mW时,丙酮气敏元件的灵敏度提高约8倍,元件的响应时间和恢复时间分别缩短了约60%和88%。 | 贺文阳 邓永和 曾庆丰 | 2009 | 微纳电子技术2009，46，6： | 2 |
| 7 | 掺杂对WO_3基气敏元件敏感特性的影响显示文摘在WO3粉体材料中加入质量分数为4%的瓷粉和不同质量分数的金属氧化物(SnO2,SiO2,Al2O3),以恒温600℃烧结1 h制成旁热式厚膜可燃性气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系。实验结果表明:WO3基元件掺入一定量的金属氧化物在加热功率为600mW时能提高元件的灵敏度。 | 邓永和 谢治民 刘艳辉 | 2008 | 传感器与微系统2008，27，2： | 1 |
| 8 | 电化学WO_3基乙醇气敏元件的研制显示文摘在WO3粉体材料中加入一定质量比的添加剂,于恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜乙醇气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度β的关系以及添加剂对元件的响应与恢复时间的影响。实验结果表明:WO3基元件掺入质量分数为0.5%的PdC l2在加热功率为600mW下可制作成反应能力强、灵敏度高的乙醇气敏元件。 | 王冬青 张志纯 贺文阳 | 2008 | 传感器与微系统2008，27，3： | 1 |
| 9 | 电化学乙醇气体敏感元件及其敏感特性研究显示文摘在WO3粉体材料中加入一定质量比的添加剂(Pt、Pd、PtO2、PdCl2、SnO2、SiO2、Al2O3),恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜乙醇气体敏感元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度β的关系以及添加剂对元件的响应与恢复时间的影响。实验结果表明:乙醇的气体体积分数为10-3,WO3元件掺入质量分数为0.5%的PdCl2,在加热功率为600mW下元件的响应与恢复时间分别为9.0s和11.0s,与纯WO3元件相比元件的灵敏度提高了约8倍。 | 曾庆丰 邓永和 | 2008 | 微纳电子技术2008，45，7： | 1 |
| 10 | Pt/Pd对WO_3燃气敏感元件的影响显示文摘在WO3粉体材料中加入Pt,PtO2,Pd,PdCl2,以恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜可燃性气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系。实验结果表明:WO3元件掺人质量分数为、0.5%的Pt/Pd,在加热功率为600mw时,能提高元件的灵敏度2—10倍。 | 张志纯 王桃芬 邓永和 | 2008 | 传感器与微系统2008，27，5： | 1 |
| 11 | 表面碳化的硅纳米孔柱阵列的H2S室温电容传感特性显示文摘通过将硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)进行高温碳化处理,制备出一种SiC/Si-NPA复合纳米体系。对SiC/Si-NPA的表面形貌和结构表征揭示,生长于Si-NPA上的SiC薄膜由具有立方结构的SiC纳米颗粒组成,厚度为~200 nm。SiC/Si-NPA整体上保持了Si-NPA原有的柱状阵列结构特征。对浓度介于0~1 200×10-6的H2S气体的室温传感性能测试表明,SiC/Si-NPA对H2S气体的电容响应灵敏度可高达790%,而其对400×10-6浓度H2S气体的响应和恢复时间则分别为170 s和200 s,元件具有较好的测量重复性和稳定性。SiC/Si-NPA可能是一种室温条件下较为理想的H2S气体传感材料。 | 王海燕 王伶俐 胡青飞 李新建 | 2012 | 传感技术学报2012，25，1： | 0 |
| 12 | 电化学燃气敏感元件及其敏感特性的研究显示文摘在三氧化钨粉体材料中加入4%瓷粉和不同质量分数的金属氧化物,以恒温600℃烧结1h制成旁热式厚膜气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度的关系以及响应与恢复特性。研究结果表明,WO3基元件掺入一定质量分数的杂质在加热功率为600mW时能开发成不同的气体敏感元件。 | 邓永和 张志纯 谢治民 | 2007 | 微纳电子技术2007，44，6： | 0 |
| 13 | 电化学WO_3基丁烷气敏元件的研制显示文摘在WO3粉体材料中,加入一定量的添加剂(Pt,Pd,PtO2,PdCl2,SnO2,SiO2和Al2O3),于600℃烧结1h,制成旁热式厚膜丁烷气敏元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热功率与元件灵敏度(β)的关系以及添加剂对元件的响应与恢复时间的影响。结果表明:掺入质量分数为0.5%的PdCl2,在加热功率为600mW时,丁烷气敏元件的灵敏度提高约12倍,元件的响应和恢复时间分别缩短约70%和85%。 | 贺文阳 王冬青 邓永和 | 2008 | 电子元件与材料2008，27，4： | 0 |
| 14 | 基于神经网络的二次测爆仪传感器故障诊断方法显示文摘在全面分析智能二次测爆仪中传感器主要故障的基础上,提出了基于L-M算法的神经网络诊断方案。通过模拟矿井中各种气体体积分数所占比例的仿真实验证明:基于L-M算法的神经网络故障诊断系统具有良好的故障监测与诊断能力。 | 彭继慎 周程勇 赵娜 | 2009 | 传感器与微系统2009，28，10： | 0 |
| 15 | WO_3基汽油敏感元件的研制显示文摘在三氧化钨粉体材料中加入一定质量比的添加剂,以恒温6000℃烧结1小时制成旁热式厚膜汽油气体敏感元件。采用静态电压测量法,研究了元件的加热电压与元件灵敏度的关系以及添加剂对元件的气敏特性的影响。实验结果表明:WO3基汽油敏感元件掺入质量分数为0.5%的Pt,Pd在加热功率为200mW下能提高元件的灵敏度2倍。 | 王冬青 | 2007 | 电子质量2007，，6： | 0 |
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