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| 1 | 氧化钨基室温气敏传感器的研究进展显示文摘氧化钨(WO_3)基半导体气体传感器对NO_2等气体具有较好的气敏特性。为了将传感器工作温度降低至室温,研究者们尝试了各种方法,如合成新型纳米材料、紫外光和可见光照射等。主要介绍了近年来WO_3基气敏材料在室温条件下其气敏性能的最新研究进展,展现了近年来WO_3基室温气体传感器的最新研究成果。并提出通过合成具有p-n异质结构的材料、开发新型纳米结构、增加材料中氧空位浓度以减小材料带隙宽度有可能是WO_3室温气体传感器下一下阶段的研究重点。 | 尤佳骏 耿欣 吴雨晴 张超 | 2016 | 电子元件与材料2016，35，10： | 3 |
| 2 | 基于复合气敏材料WO_3/SrAl_2O_4的硫化氢气体传感器显示文摘采用溶胶-凝胶法制得WO_3/SrAl_2O_4复合气敏材料。经过工艺加工制得旁热式厚膜陶瓷元件在密封的气室内测试,获得了对H_2S气体具有良好灵敏度、选择性和响应恢复性的气敏元件。为检测和治理生产生活中的H_2S污染,提供了可供参考应用的气敏传感元件。 | 石莎莎 冯文林 冯序 邓大申 秦祥 | 2017 | 传感器与微系统2017，36，8： | 3 |
| 3 | Si掺杂SnO_2基气体传感器抗湿性能研究显示文摘研究了以Si掺杂Sn O_2作为热线型气体传感器补偿元件材料来提高Sn O_2基气体传感器抗湿度干扰能力。采用共沉淀法制备Si掺杂Sn O_2作为补偿元件材料,Sb掺杂Sn O_2作为敏感元件材料,并对所制备材料进行表征。考察了Sb掺杂量对传感器响应值影响和Si掺杂Sn O_2对抗湿性能影响,同时讨论了抗湿性能机理。结果表明,敏感元件材料中摩尔比Sb/Sn为6%使Sn O_2基传感器对体积分数1000×10^(-6) H2灵敏度由108 m V提高至435 m V,补偿元件材料摩尔比Si/Sn为0.7%使湿度引起的响应值相对误差降至8.8%。 | 陈克城 詹自力 陈翔宇 闫贺艳 陈志强 | 2017 | 电子元件与材料2017，36，4： | 0 |
| 4 | WO_3/CaAl_2O_4复合敏感膜的制备及其对一氧化碳气体的检测显示文摘一氧化碳是一种有毒的易燃易爆气体,是常见的严重危害人体健康的窒息性化学毒物,因无色、无味,易被忽视而存在极大的安全隐患。因此,制备高灵敏、低成本、操作方便的一氧化碳传感器,实时监控大气环境中的一氧化碳十分必要。本研究结合溶胶-凝胶和涂敷法制备WO_3/CaAl_2O_4复合气敏薄膜,设计制作了旁热式一氧化碳气体传感器,自主搭建了包括密闭气室、加热电路、测试电路的一氧化碳气体传感测试系统。获得了该传感元件对一氧化碳的温度特性、灵敏特性、选择性和重复性等,并通过分析,明确了气敏机理。该传感器对一氧化碳气体的监测有一定应用意义。 | 冯路桥 杨晓占 李雪 | 2018 | 山东化工2018，47，8： | 0 |
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