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出处
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| 1 | An experimental evaluation of the on-state performance of trench IGBT designs显示文摘 | NARESH THAPAR JAYANT BALIGA B | 1998 | Solid State Electronics1998，42，5： | 1 |
| 2 | A new meth- od for blocking probability evaluation in OBS/OPS networks with deflection routing显示文摘 | Eric W M Wong Jayant Baliga Moshe Zukerman | 2009 | Journal of Lightwave Technology2009，27，： | 1 |
| 3 | Tucker green cloud computing: Balancing energy in processing storage and transport 显示文摘 | Jayant Baliga Robert W A Ayre Kerry Hinton | 2010 | Business2010，99，1： | 1 |
| 4 | Comparison of 6H - SiC,3C -SiC,and Si for Power Devices显示文摘 | Bhatnager M Jayant Baliga B | 1993 | Electron Devices1993，40，： | 1 |
| 5 | The Planar 6H-SiC ACCUFET a New High-Voltage Power MOSFET Structure显示文摘 | M Praveen Shenoy and Baliga B Jayant | 1997 | IEEE Electron Device Letters1997，18，： | 1 |
| 6 | Measurement of Carrier Lifetime Profiles in Diffused Layers of Semiconductors显示文摘 | BALIGA B Jayant ADLER Michael S | 1978 | IEEE Transaction on Electron Device1978，25，4： | 1 |
| 7 | 杨教授视点 智能电网技术 15kVSiCIGBT的发展及其对电力应用的影响(中)显示文摘15-kV SiC IGBT的设计与优化
图3给出了15-kVN沟道4H-SiC IGBT的半单元截面图。4H-SiC n^+衬底上生长有外延层。厚3μm、1×10^19cm^-3掺杂的P+发射极层是第一个外延层。其后是n型底部缓冲层(场塞),厚5μm,掺杂浓度1×10^17cm^-3,可以防止场击穿,同时实现了较好的性能折中。 | JUN WANG ALEX Q. HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B. JAYANT BALIGA 张永鑫(译) 田书欣(译) 杨喜军(译) 姜建国(译) | 2010 | 变频器世界2010，，5： | 1 |
| 8 | Trends in power semiconductor devices显示文摘 | Baliga B Jayant | 1996 | IEEE Trans ED1996，43，10： | 1 |
| 9 | The accumulation-mode field-effect transistor: a new ultralow on-resistance MOSFET显示文摘 | Jayant Baliga B Tsengyou Syau Prasad | 1992 | Electron Device Letters1992，13，8： | 1 |
| 10 | 智能电网技术 15kV SiCIGBT的发展及其对电力应用的影响(上)显示文摘在电力电子行业中,硅功率器件已经成功地应用了五十多年,基于硅技术的功率器件即将达到其功率处理和开关频率能力的物理极限。尽管高压硅功率器件通过把电流处理能力提高至单个器件超过1500A,使其已经达到了很大的功率处理能力,但是其电压等级一般低于6.5kV,开关频率通常低于1kHz。 | JUN WANG ALEX Q.HUANG WOONGJE SUNG YU LIU B JAYANT BALIGA 张永鑫 田书欣 杨喜军 姜建国 | 2010 | 变频器世界2010，，4： | 0 |
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