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13篇 您的检索式：作者名="Tsunenobu"

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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Serum leptiln concentrations during pregnancy and their relationship to fetal growth显示文摘	Tsunenobu tamura MD Robertl	1998	Obstet Gynecol1998，91，3：	1
	2	Performance limiting surface defects in SiC epitaxial p-n junction diode显示文摘	Tsunenobu Kimoto Nao Miyamoto Hiroyuki Matsunami	1999	IEEE Trans Electron Devices1999，46，：	1
	3	New Lines and Issues Associated with Deep Defect Spectra in Electron, Proton and ⁴He Ion Irradiated 4H SiC显示文摘	Yan Fei Devaty Robert P. Choyke Wolfgang J. Kimoto Tsunenobu Ohshima Takeshi Pensl Gerhard Gali Adam	2010	2010 (645)2010，，645：	1
	4	A 13 kV 4ti SiC n Channel IGBT with low Rdiff,on and fast switchilg 显示文摘	Akira S Hajime O Tsunenobu K et al	2009	Materials Science Forum2009，600，11：	1
	5	Step-controlled epitaxy of SiC: High-quality homoepitaxial growth显示文摘	Hiroyuki Matsunami Tsunenobu Kimoto	1998	Diamond & Related Materials1998，，2：	1
	6	Gas chromatography of rare earth chelates of pivaloyltrifluoroacetone显示文摘	Tsunenobu Shigematsu Masakazu Matsui Kei Utsunomiya	1969	Bull Chean Soc JAP1969，42，5：	1
	7	Porous plug 'ALP4' with superior spallmg resistance显示文摘	OSAMU N TSUNENOBU S SHINJI A	2001	Shinagawa Tech Rep2001，44，：	1
	8	Electrical Characterization of MOS Structures with Deposited Oxides Annealed in N₂O or NO显示文摘	Grieb Michael Noborio Masato Peters Dethard Bauer Anton J. Friedrichs Peter Kimoto Tsunenobu Ryssel Heiner	2009	2009 (615)2009，，615：	1
	9	A 13 kV 4H-SiC n-Channel IGBT with low rdiff,On and Fast switching显示文摘	Akira S Hajime O Tsunenobu K	2009	Materials Science Forum2009，600，1：	1
	10	4H-SiC lateral double RESURF MOSFETs with low on-resistance 显示文摘	MASATO N JUN S TSUNENOBU K	2007	IEEE Trans Elec Dev2007，54，5：	1
	11	Step-controlled epitaxial growth of SiC: High quality homoepitaxy显示文摘	Hiroyuki Matsunami Tsunenobu Kimoto	1997	Materials Science & Engineering R1997，，3：	1
	12	A13 kV 4H-SiC n-channel IGBT with low rdiff, on and fast switching显示文摘	Akira S Hajime O Tsunenobu K	2009	Materials Science Forum2009，600，1：	1
	13	低通态电阻的高压(>1K\)碳化硅肖特基势垒二极管显示文摘以步控外延工艺来生长多层膜的方法成功地制成了一种具有高阻断电压的Au/6H-SiC型肖特基势垒二极管。其击穿电压高于1100V,这是碳化硅肖特基势垒二极管迄今报导过的最高电压。这类高压SiC整流器的通态电阻率低于硅整流器理论极限值一个数量级以上。该通态电阻率按 T^(2·0)关系随温度升高而增加。这类二极管在400℃时特性良好。	Tsunenobu Kimoto 姚永康	1994	大功率变流技术1994，0，6：	0

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