1篇
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| 1 | Effect of interface on mid-infrared photothermal response of MoS2 thin film grown by pulsed laser deposition显示文摘这研究报导在上中间红外线(中间 -- 红外) 多层的瞬间 2 的 photothermal 反应在上成年的薄电影水晶(p 类型硅和 c-axis-oriented 单身者水晶蓝宝石) 并且非结晶(Si/SiO 2 和 Si/SiN ) 由搏动的激光免职(PLD ) 的底层。当照耀与时,瞬间 2 电影的 photothermal 反应在瞬间 2 电影的抵抗作为变化被测量一中间 -- 红外(7 ~ 8.2 m ) 来源。我们显示出那提高瞬间 2 的抵抗(TCR ) 的温度系数薄电影由通过底层和生长条件的一种合适的选择控制电影底层接口是可能的。PLD 种的薄电影用 X 光检查衍射,拉曼,原子力量显微镜学, X 光检查光电子显微镜学,和传播电子被描绘显微镜学。高分辨率的传播电子显微镜学(HRTEM ) 图象证明瞬间 2 电影与不合身的衣服脱臼以一种 layer-by-layer 方式在蓝宝石底层上成长。当这些电影在有一颗钻石的底层上是成年的时,层生长形态学被破坏立方的结构(例如,硅) 因为成双的生长形成。非结晶的底层上的生长形态学例如 Si/SiO 2 或 Si/SiN,是很不同的。硅上的 PLD-grown 瞬间 2 电影显示出更高的 TCR (在 296 K 的 2.9% K 1) ,更高中间 -- 红外敏感(R/R =5.2%) ,并且更高的 responsivity (8.7 V 湡杯湥牥瑡牯吗?? | Ankur Goswami Priyesh Dhandaria Soupitak Pal Ryan McGee Faheem Khan Zeljka Antic Ravi Gaikwad Kovur Prashanthi Thomas Thundat | 2017 | Nano Research2017，10，10： | 2 |
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