| 4 | Atomic and electronic structure of Si dangling bonds in quasi-free-standing monolayer graphene显示文摘在伪自立的单层 graphene (QFMLG ) 的接口的 Si 摇契约被知道充当散布能严重地影响搬运人活动性的中心。此处,我们调查用低温度的扫描在 QFMLG 挂契约的 Si 的原子、电子的结构通道显微镜学 / 光谱学(STM/STS ) ,原子力量显微镜学(AFM ) ,和密度功能的理论(DFT ) 计算。有不同对比的缺点的二种类型被 STM 和 AFM 在一个扁平的 graphene 平台上观察;特别地,他们的 STM 对比与偏爱电压变化了。而且,这些缺点在不同精力显示出典型的圣山峰, 1.1 和 1.4 eV。有 DFT 计算的试验性的数据的比较显示有 1.1 和 1.4 eV 的圣山峰精力的缺点由分别地挂契约的三和四 Si 的簇组成。graphene 合成的优化的现在的结果的关联被讨论。 | Yuya Murata Tommaso Cavallucci Valentina Tozzini Niko Pavliček Leo Gross Gerhard Meyer Makoto Takamura Hiroki Hibino Fabio Beltram Stefan Heun | 2018 | Nano Research2018，11，2： | 0 |
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