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Lu_2SiO_5晶体电子结构的模拟研究

查看全文 作　　者：[1]夏贯芳;[1]刘廷禹;[1]严非男;[1]陈俊 高影响力作者 机构地区：[1]上海理工大学理学院,上海200093高影响力机构 出　　处：《光学仪器》索引2015年第37卷第2期,共4页高影响力期刊 摘　　要：基于密度泛函理论,GGA-PBE交换相关势研究了含氧空位和氧填隙的Lu2SiO5(LSO)晶体的电子结构。详细讨论电子态密度,分析了含氧空位的LGO晶体的电子态密度,结果显示,在禁带中出现了一个新的态密度分布,Vo5能产生一个吸收带,该吸收带位于400-500nm之间。 关 键 词：第一性原理 电子结构 点缺陷
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