深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器

查看全文 作　　者：[1]袁红辉;[1]王淦泉;[1]陈永平;[1]梁平治

机构地区：[1]中国科学院上海技术物理研究所,上海200083

出　　处：《红外与激光工程》索引2006年第35卷第4期,共5页

基　　金：中国科学院预研基金资助项目(422010301) 摘　　要：为了降低红外系统的噪声,提出了一种新的电路结构,利用单端折叠共源共栅结构和MOS管工作在线性区做反馈电阻,设计了一种在深低温(100K左右)工作的高性能低功耗、低噪声前置放大器。分析了其噪声特性,并提出了减少噪声的措施,仿真结果显示该前置放大器的输出电压噪声很小,3dB带宽大于10kHz。此前置放大器用1.2μm的标准CMOS工艺制造完成,四单元芯片的大小为2.1mm×2.9mm。经测试,这种前置放大器在深低温下能正常工作,反馈电阻大小为兆欧级,等效输入噪声电流仅0.03pA/Hz1/2,单元功耗小于1mW,与红外探测器连接后工作正常,线性度较好。 关键词：前置放大器低温低功耗低噪声

相关文献

参考文献（9）
引证文献（5）
耦合文献（0）

参考文献(9)

引证文献(5)

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费

深低温、低功耗、低噪声微型前置放大器

参考文献(9)

引证文献(5)

用户提示