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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	CVT一步生长的ZnSe单晶的光电特性研究显示文摘本文采用化学气相输运(CVT)法,由Zn(5N)和Se(5N)一步直接生长了片状ZnSe单晶,并对其结构特性和光电性能进行分析。研究表明,生长出的ZnSe单晶仅显露(111)面,红外透过率约为40%~42%,具有较高的结晶质量。该ZnSe单晶可与In电极形成良好的欧姆接触,其体电阻率约为7.3×109Ω.cm。	李寒松李焕勇	2012	人工晶体学报2012，41，2：	2

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