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| 1 | 电沉积铜箔CVD工艺生长缺陷可控少层石墨烯显示文摘通过气相化学沉积(CVD)工艺生长的石墨烯薄膜具有缺陷程度低且可实现层数可控等优良特点。基于硫酸铜酸性镀铜工艺,在不同的电流密度条件下采用电沉积技术制备超薄铜箔,并用作CVD工艺的基体,合成高品质少层石墨烯。采用X线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)及多测试位置拉曼光谱技术对不同电沉积铜箔结构、表面形貌及其上生长的石墨烯进行分析。结果表明:电沉积铜箔的结构具有很强的择优晶面取向性,且其取向晶面与沉积的电流密度有关,在高温、H_(2)气氛退火处理后拥有比商业冷轧铜箔更有利于石墨烯生长的平整表面及连续滑移台阶;通过调控铜箔基体电沉积过程的电流密度及其厚度、反应前驱体气体H2与CH4流速比、CVD沉积时间以及铜箔退火时间等工艺参数,实现在电沉积铜箔表面生长出缺陷程度可控的少层石墨烯薄膜。 | 朱广奇 齐艳玲 | 2021 | 南京工业大学学报(自然科学版)2021，43，5： | 4 |
| 2 | C量子点修饰BiVO_4纳米片的制备及可见光裂解水性能的增强显示文摘通过在BiVO_4水热合成过程中改变形貌控制剂乙二胺四乙酸(EDTA)或十六烷基三甲基溴化铵(CTAB),调节BiVO_4的形貌,暴露活性晶面。加入葡萄糖,引入C量子点(CQDs),进一步提高其可见光催化裂解水性能。用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、高分辨率透射电子显微镜(HRTEM)和X线衍射仪(XRD)分别对样品进行形貌与物相结构的表征。结果表明:当形貌控制剂为EDTA时,C量子点修饰的暴露活性晶面的BiVO_4纳米片被成功合成,该纳米片宽度为0.7~10μm,厚度约为100 nm;当葡萄糖的量为1 g时,所制得样品具有很强的可见光催化性能,是没有C量子点修饰样品的7倍。 | 彭枫萍 周强 寇佳慧 陆春华 许仲梓 | 2018 | 南京工业大学学报(自然科学版)2018，40，2： | 1 |
| 3 | N掺杂TiO_2复合膜中N晶格位置转变显示文摘采用磁过滤真空直流阴极弧蒸发工艺在石英基底上沉积N掺杂Ti薄膜,随后将其在马弗炉中以不同的退火温度(100~700℃)热处理制备N掺杂TiO2薄膜,采用X线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、X线光电子能谱( XPS)和扫描电子显微镜( SEM)分析表征。结果表明:初始态N掺杂Ti薄膜为包含少量TiN相的Ti薄膜,在300℃退火处理时,N掺杂Ti薄膜直接氧化生成N掺杂金红石相TiO2薄膜。初始态的N掺杂Ti薄膜表面平整、颗粒细密,与基底附着牢固,经700℃退火处理后,TiO2颗粒得到了良好的结晶生长,薄膜厚度增加了60%。当热处理温度为600℃时,N掺杂TiO2复合膜中替代型N开始转变为填隙型N,由于填隙型N具有更高的能级,这种N位置的转变进一步窄化了N掺杂TiO2的能带宽度,提高了对可见光的利用率。 | 刘光辉 江晓红 庄玉召 陆路德 PILIPTSOU D G ROGACHEV A V | 2016 | 南京工业大学学报(自然科学版)2016，38，6： | 0 |
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