共被期刊论文引用了3次
您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总
|
|
|
题名
|
作者
|
年代
|
出处
|
被引量
|
| 1 | 基于SiGe BiCMOS工艺的高速光接收机模拟前端电路显示文摘基于IBM 0.18,μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款12.5,Gb/s的全差分光接收机模拟前端电路.该电路由跨阻放大器、限幅放大器、直流偏移消除电路和输出缓冲级组成.为获得更高的带宽,本文对Cherry-Hooper结构进行了改进,设计出一种三级级联的限幅放大器,而直流偏移消除电路则使用了差分有源密勒电容(DAMC)来替代传统的片外大电容,提高了电路集成度和稳定性.版图后仿结果表明,在探测器等效电容为300,f F的情况下,光接收机前端电路的跨阻增益为97,d B,-3,d B带宽为11.7,GHz,等效输入噪声电流小于14.2,pA/Hz^(1/2),芯片核心面积为720,μm×700,μm. | 谢生 谷由之 毛陆虹 吴思聪 高谦 | 2018 | 天津大学学报(自然科学与工程技术版)2018，51，1： | 6 |
| 2 | 2.5Gb/s低噪声差分交叉耦合跨阻放大器的设计与实现显示文摘本文基于UMC 0.18 μm CMOS工艺,设计了一款低噪声交叉耦合结构的跨阻放大器.该电路由优化的调节型共源共栅(RGC)结构和输出缓冲级构成,其中采用两级共源放大器作为RGC结构的辅助放大器,用于提升电路的等效跨导和带宽.此外,通过优化电路参数以及在输入端引入阶梯型无源匹配网络来进一步拓展带宽和降低电路噪声.测试结果表明,在探测器等效电容为300pF时,所设计跨阻放大器芯片的-3d B带宽为2.2GHz,跨阻增益为61.8d B?,平均等效输入噪声电流谱密度仅为9 pA/(Hz)^(1/2),成功实现了2.5Gb/s的传输速率.在1.8V电源电压下,芯片功耗为43m W,包括焊盘在内的芯片总面积为1×1mm^2. | 谢生 高谦 毛陆虹 吴思聪 谷由之 | 2017 | 天津大学学报(自然科学与工程技术版)2017，50，6： | 5 |
| 3 | High-Gm Differential Regulated Cascode Transimpedance Amplifier显示文摘A differential cross-coupled regulated cascode(RGC)transimpedance amplifier(TIA)is proposed. The theory of multi-stage common-source(CS) configuration as an auxiliary amplifier to enhance the bandwidth and output impedance of RGC topology is analyzed. Additionally, negative Miller capacitance and shunt active inductor compensation are exploited to further expand the bandwidth. The proposed RGC TIA is simulated based on UMC 0.18 μm standard CMOS process. The simulation results demonstrate that the proposed TIA has a high transimpedance of 60.5 d B?, and a-3 d B bandwidth of 5.4 GHz is achieved for 0.5 p F input capacitance. The average equivalent input noise current spectral density is about 20 p A/Hz^(1/2) in the interested frequency, and the TIA consumes 20 m W DC power under 1.8 V supply voltage. The voltage swing is 460 m V pp, and the saturation input current is 500 μA. | 谢生 陶希子 毛陆虹 高谦 吴思聪 | 2016 | Transactions of Tianjin University2016，22，4： | 1 |
您所在的机构暂未开通此部分的功能，请联系管理员