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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Ho:BaY_2F_8晶体生长与荧光特性显示文摘采用中频感应提拉法,在氩气和四氟化碳气氛下,生长掺钬氟化钇钡[Ho:BaY2F8]激光晶体;针对Ho:BaY2F8晶体生长工艺参数进行了讨论,获得了合适的晶体生长工艺参数范围:拉速0.5~1mm/h,转速5~7rpm;研究了Ho:BaY2F8晶体在中红外的荧光光谱。结果表明,在889nm激光器的激发下,该晶体在3.9μm附近获得了较强的荧光发射,对应于Ho离子的^5I5→^5I6跃迁,Ho:BaY2F8晶体在3.9μm附近的中红外激光器中有较大的应用前景。	刘旺董玮利赵舒燕陈鑫李春林海曾繁明	2015	长春理工大学学报(自然科学版)2015，38，6：	0

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