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| 1 | Nd掺杂Ba_(0.09)(Na_(0.5)Bi_(0.5))_(0.91)Bi_2Nb_2O_9高温无铅压电陶瓷的研究显示文摘采用固相法制备了Ba0.09(Na0.5Bi0.5)0.91Bi2Nb2O9-xwt%Nd2O3(x=0.0~2.0)高温无铅压电陶瓷,研究了Nd掺杂对该系列陶瓷微观结构及电性能的影响。结果表明,样品均为单一的铋层状结构陶瓷,适量的Nd掺杂降低了陶瓷的电导率和介电损耗,明显改善了陶瓷的压电与铁电性能。掺杂量x=1.0的样品具有最优性能:d33=23 pC/N,tanδ=0.050%,Qm=2095,kp=5.46%,Tc=713℃,Pr=8.2μC/cm2和Ec=43.5 kV/cm,表明该材料将在高温领域内有良好的应用前景。 | 陈云婧 江向平 涂娜 陈超 李小红 | 2014 | 中国陶瓷2014，50，6： | 3 |
| 2 | Co、Mn共掺杂铋层状Na_(0.5)Bi_(4.5)Ti_4O_(15)无铅压电陶瓷的显微结构及电性能显示文摘采用固相法制备Na0.5Bi4.5Ti4O15+x%Co2O3+y%MnCO3(NBT-CM-x)(y=0.1x)铋层状无铅压电陶瓷,研究了Co、Mn共掺杂对Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷显微结构和电性能的影响。结果表明:所有样品均为铋层状结构;Co、Mn共掺杂能促进陶瓷晶粒生长;随Co、Mn共掺杂量的增加,Curie温度TC逐渐升高(均在635℃以上);Cole-Cole图出现2个圆弧,表明存在晶粒和晶界效应;适量Co、Mn共掺杂提高了Na0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷的压电常数d33、剩余极化强度Pr、机械品质因数Qm和相对介电常数εr,降低了直流电导率σDC和介电损耗tanδ。当x=3.0时,NBT-CM-x陶瓷的综合性能最佳:d33=24pC/N,Pr=11.70μC/cm2,Qm=3 117,εr=198,tanδ=0.19%,kp=9.9%,kt=14.7%,表明该陶瓷材料具有良好的高温应用前景。 | 江向平 傅小龙 陈超 李小红 邵虹 徐明珠 涂娜 | 2014 | 硅酸盐学报2014，42，12： | 3 |
| 3 | (1-x)Na_(0.5)Bi_(2.5)Nb_2O_9-xLiTaO_3高温材料的结构和性能显示文摘采用固相法制备了(1-x)Na0.5Bi2.5Nb2O9-xLiTaO3(NBN–LT,0.00≤x≤0.20)层状压电陶瓷。系统研究了LiTaO3掺杂对NBN基陶瓷物相、显微结构与电性能的影响。结果表明,当LiTaO3掺入量x≤0.05时,陶瓷样品均是铋层状结构。随着LiTaO3掺入量的增加,陶瓷的机械品质因数Qm先增大后减小,当LiTaO3掺入量x=0.15时,其Qm获得了最大值为3780;适量LiTaO3的掺入明显提高了NBN基陶瓷的居里温度和电性能,当LiTaO3掺入量x=0.10时,其电性能最佳:压电常数d33=21 pC/N,平面机电耦合系数kp=7.8%,厚度耦合系数kt=14.0%,相对介电常数εr=167,介电损耗tanδ=0.894%,居里温度TC=786℃,机械品质因数Qm=3397。此外,NBN-LT(x=0.10)陶瓷经600℃退极化处理后,其d33保持为原来的85%(~18 pC/N)左右,表明该材料在高温领域下具有良好的应用前景。 | 傅小龙 温佳鑫 王新佳 陈超 李小红 江向平 | 2014 | 中国陶瓷2014，50，4： | 2 |
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