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| 1 | 硫代硫酸盐法浸出废旧IC芯片中金的试验研究显示文摘介绍了当前电子废弃物中常用的浸金方法及其优缺点,分析了电子废弃物中硫代硫酸盐法浸金的研究现状。针对这一研究现状,本文采用碱性Na2S2O3溶液中添加Cu2+的方法,对废旧IC(integratedcircuit)芯片中金的浸出进行了试验研究。通过对IC样品进行机械预处理、粒度分析、解离度分析、化学预处理和浸金试验,探讨了Na2S2O3浓度、Cu2+浓度、NH3浓度、浸出温度、浸出时间和反应液固比6个因素对金浸出率的影响。试验得出最佳浸金条件为:Na2S2O3浓度0.3mol/L,Cu2+浓度0.03mol/L,NH3浓度0.5mol/L,添加3.5g/L的Na2SO3作为稳定剂,浸取温度50℃,浸取时间2.5h,液固比10∶1,在最佳浸出条件下,金的最高浸出率为92.25%。与传统方法相比,该方法具有浸出速度快、浸出液无毒、操作简单等优点,是一种具有开发潜力的电子废弃物浸金方法。 | 陈立乐 王景伟 白建峰 王鹏程 赵新 | 2015 | 化工进展2015，34，3： | 3 |
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