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    题名 作者 年代 出处 被引量
1光激励下的半导体纳米材料中杂质对超声的吸收研究显示文摘研究了在激光场中晶格振动与杂质核相互作用下,具有无限势垒量子阱结构半导体中的超声衰减问题.电子吸收声子不能从受体杂质能'带'跃迁到第一量子能级导带,但在高频激光场中却会发生,激光场补充电子跃迁吸收声子所需能量.对总超声吸收系数进行了推算,并将此结果应用到纳米砷化镓(GaAs/AlGaAs)量子阱样品中,发现其总吸声系数比相应的传统物质的吸收系数大得多.耿森林 2013云南大学学报(自然科学版)2013,35,1:0
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