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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	温度对InAs/GaAs量子点生长影响的动力学蒙特卡罗模拟显示文摘采用动力学蒙特卡罗模型模拟了GaAs应变弛豫图形衬底上InAs量子点阵列生长早期阶段,温度对浸润层之上第一层亚单原子层阶段的影响。通过对生长表面形态、岛平均大小、岛大小分布及其标准差等方面的研究,证明了通过控制温度能够得到大小均匀、排列有序的岛阵列,这对后续量子点生长的定位和尺寸控制有重要影响。	宋禹忻俞重远刘玉敏	2007	功能材料2007，38，12：	0

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