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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究显示文摘报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。	张志国杨瑞霞李丽王勇冯震李献杰杨克武	2006	固体电子学研究与进展2006，26，3：	0

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