维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

共被期刊论文引用了1次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	Cu-In膜成分偏析对CIS膜结构的影响显示文摘为了研究Cu-In薄膜中的局部偏聚现象及其对硒化后CuInSe2(CIS)薄膜中各元素分布和组织结构的影响,采用中频磁控溅射工艺,溅射Cu-In合金靶,制备了总体Cu/In原子数比接近1的Cu-In预制膜,并在硒气氛下硒化制备了CIS太阳能电池吸收层。采用扫描电子显微镜和能量弥散X射线分析技术对Cu-In预制膜及CIS薄膜的表面形貌、成分进行了观察和分析,采用X射线衍射和Raman散射谱表征了薄膜的组织结构。结果表明:Cu-In预制膜主要由Cu11In9相组成,但存在豆状的富In区;在总体Cu/In原子数比接近1时,硒化后可得到各元素分布均匀、具有化学计量比的CIS,且晶体结构为单一的黄铜矿相。CIS薄膜的导电类型为P型,电阻率达到1.2kΩ.cm。	方玲张弓庄大明赵明郑麒麟丁晓峰吴敏生	2004	清华大学学报(自然科学版)2004，44，5：	6

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费