维普期刊资源整合服务平台（V6.5）

共被期刊论文引用了1次 您的检索式：您选中1篇文献正在查看引证文献汇总

选中清除导出查看参考文献查看引证文献引用追踪共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	GaN:Si薄膜的结构和应力特性研究显示文摘对掺杂浓度为1017~1019cm-3的GaN:Si样品进行高精度X射线衍射和拉曼散射光谱的研究发现:随着Si掺杂浓度的增加,GaN晶粒尺寸逐渐减小,引发更多的螺位错和混合位错致使摇摆曲线的半高宽有所增加,同时薄膜中的剩余应力也逐渐减小。当掺杂浓度高于2.74×1018cm-3时,薄膜从压力状态转变为张力状态。	冯倩郝跃王峰祥	2005	固体电子学研究与进展2005，25，4：	3

返回顶部每页显示：

共1页首页上一页第1页下一页末页 /1 跳转

互联网出版许可证新出网证(渝)字10号全国400电话 - 免长途话费