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| 1 | Si_n/Si_n^-(n=7~10)的结构和电子亲合能的研究显示文摘选用4种不同的密度泛函理论方法(B 3LYP,BLYP,BP 86,B 3P 86),在全电子的双ζ加极化加弥散函数基组(DZP++)下,对S in/S in-(n=7~10)体系进行研究,获得它们的基态结构和电子亲合能.预测S i7/S i7-,S i8/S i8-,S i9/S i9-和S i10/S i1-0的基态结构分别为D5h(1A1′)/D5h(2A2)″,C2h(1Ag)/C3υ(2A2),Cs(1A′)/Cs(2A′)和C3υ(1A1)/C3υ(2A1).理论预测S i7,S i8,S i9和S i10的电子亲合能分别为1.90,2.59,2.07和2.20 eV,BLYP方法预测的电子亲合能最为可靠的. | 杨桔材 徐文国 肖文胜 | 2005 | 北京理工大学学报2005，25，10： | 0 |
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