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时间 1989 - 2010 学科选择学科
题名/关键词 模糊
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    题名 作者 年代 出处 被引量
1离子注入制备n型SiC欧姆接触的工艺研究显示文摘由于杂质在 SiC 中的扩散系数很低,所以制备 SiC 器件欧姆接触所需要的高掺杂区必须采用离子注入技术。本文采用蒙特卡罗模拟软件 TRIM 模拟得出不同能量不同剂量六次注入杂质的纵向分布图,根据大量文献数据和国内现有的制备水平,提出制备 n 型 SiC 欧姆接触最优的工艺流程。刘芳 张玉明 张义门 郭辉 2005半导体技术2005，30，4：2
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