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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究显示文摘为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁移率退化的原因,模型计算结果与实验结果一致。	张雪锋季红兵邱云贞王志亮陈云张振娟黄静徐静平	2010	固体电子学研究与进展2010，30，4：	0

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