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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	绿光发光材料ZnTe的Raman光谱研究显示文摘研究了表面处理工艺对ZnTe的Raman光谱的影响,结果表明,ZnTe的LO(Γ)特征峰对表面处理工艺敏感,该特征峰的强度与半峰宽的比值(I/H)越大,晶体表面晶格完整性越高。对机械抛光的ZnTe晶片依次进行化学抛光、去除表面氧化物,I/H值分别出现不同程度的增加,表面晶格完整性逐渐提高。以514.5nm激光激发ZnTe,荧光峰掩盖了200~3000cm-1内Raman散射峰,拟合得到ZnTe的禁带宽度是2.255eV。	谷智李国强介万奇	2010	功能材料2010，41，11：	0

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