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    题名 作者 年代 出处 被引量
1SiO_2和TiO_2缓冲层对柔性ITO薄膜弯曲特性的影响显示文摘讨论了柔性ITO薄膜在弯曲时导电能力失效的机理及影响因素.考察了SiO2和TiO2作为无机缓冲层的加入对于柔性ITO薄膜弯曲特性的影响.实验结果及分析表明,材料间的失配系数,结合力以及薄膜缺陷是影响ITO薄膜弯曲特性的主要因素.SiO2或TiO2无机缓冲层的加入降低了ITO薄膜抗内弯折临界半径;TiO2缓冲层能够明显增加ITO薄膜的耐弯折次数.喻志农 夏樊 李玉琼 薛唯 赵志伟 2009北京理工大学学报2009,29,8:1
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