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		题名	作者	年代	出处	被引量
	1	用变温法测量RTD串联电阻显示文摘用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。	宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来	2009	半导体技术2009，34，1：	1

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