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1反应烧结制备Ti_2AlN-TiN复合材料显示文摘采用2Ti/2Al/3TiN粉体为原料,通过反应热压烧结,以制备Ti2AlN-TiN复合材料。采用X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)结合能谱仪(EDS)分析试样。研究结果表明,在1350℃保温2h,压力为30MPa,可烧结得到组织细小、致密的Ti2AlN-TiN复合材料。材料中层片状Ti2AlN晶粒长约5m,TiN晶粒大小为1~2m。复合材料具有良好的机械性能,其显微硬度与弯曲强度分别达8.57GPa和450MPa。梁宝岩 王明智 2010燕山大学学报2010,34,3:4
2Ti_2AlN/TiAl复合材料的高温氧化行为显示文摘采用压力浸渗法制备Ti2AlN/TiAl复合材料(Ti2AlN体积分数25%),研究该复合材料的高温氧化行为。结果表明:600~800℃,材料氧化过程分为初期快速氧化和后期缓慢氧化两阶段;900~1100℃,氧化过程分为初期快速氧化、中期缓慢氧化和后期匀速氧化3阶段;但是1100℃时,材料氧化的第2阶段(缓慢氧化阶段)很短暂。800,1000,1100℃氧化24h后,复合材料增重分别为0.83,2.58和27mg/cm2。同时研究了Ti2AlN/TiAl复合材料在不同温度区间、不同氧化阶段的氧化产物、氧化层厚度和氧化层结构变化规律,分析讨论影响复合材料氧化性能的主要因素。孙东立 孙涛 王清 武高辉 韩秀丽 郭强 2011稀有金属材料与工程2011,40,6:3
3冷压烧结制备Cu-15%Cr_2AlC复合材料的组织与性能研究显示文摘以自制的高纯Cr_2AlC陶瓷粉体为原料,采用冷压真空烧结技术制备了Cu-15%Cr_2AlC(质量分数)复合材料。研究了不同压制压力、烧结温度及烧结时间对复合材料的电阻率、热导率、摩擦因数以及材料的断裂方式和组织结构的影响。结果表明:随着压制压力的增大、烧结温度的升高,复合材料的电阻率、摩擦因数呈下降趋势,热导率逐渐升高;随着烧结时间延长,复合材料的电阻率逐渐降低,摩擦因数先降低后升高,热导率先升高后降低;复合材料的断裂方式均为脆性断裂;随着烧结温度的提高、烧结时间的延长,Cr_2AlC与Cu发生固溶强化效应,引起Cr_2AlC晶格常数畸变。孙林 刘锦云 郭阳 金应荣 鲁云 2016粉末冶金工业2016,26,1:3
4若干MAX相化合物在NaOH、H_2SO_4和HCl中的电化学性质显示文摘用热压的方法合成了若干MAX相化合物,包括211相(Ti2AlC和Ti2AlN)和312相(Ti3SiC2和Ti3AlC2);研究了它们在1 mol/L HCl、1 mol/L NaOH和1 mol/L H2SO4中的电化学性质及其结构与其稳定性的关系.结果表明:在所有溶液中,312型MAX相比211相更稳定;Ti3SiC2和Ti3AlC2几乎在所有溶液里都发生钝化,而Ti2AlC和Ti2AlN在1 mol/L HCl中活跃地溶解,还伴有大量气泡产生;Ti3SiC2比Ti2AlC、Ti2AlN和Ti3AlC2更稳定.王苹 梅炳初 雷零 2009腐蚀科学与防护技术2009,21,1:2
5TiN/AlN复合材料的等离子烧结显示文摘采用等离子技术,在1600℃的温度和50 MPa的压力、不同保温时间的条件下实现TiN/AlN纳米复合粉的快速烧结。随着保温时间的延长,材料致密性有所改善,在保温15 min后获得最大密度,HRA=93,ρ=4.346 g/cm^3;随后由于颗粒的长大密度有所下降。XRD分析主相为TiN,局部温度过高导致氮缺位,晶格常数增大,衍射峰较烧结前略有左偏;次相为AlN,但由于在烧结过程中存在应力,其衍射峰较烧结前略有右偏,同时在烧结过程中有轻微氧化现象生成AlON相。用SEM分析了试样断口形貌,主要呈现沿晶断裂。张满喜 刘颖 李军 刘晓波 2008硬质合金2008,25,1:1
6块体Ti_2AlN/TiN复合材料的制备显示文摘在合成Ti2Al N配比的基础上原位引入15%体积含量的Ti N,在原位热压(HP)和放电等离子(SPS)两种烧结工艺条件下合成了块体Ti2Al N/Ti N复合材料。通过X射线衍射(XRD)分析烧结产物的相组成,用扫描电镜(SEM)和电子探针(EPMA)结合能谱仪(EDS)研究材料的显微结构特征。原位热压工艺合成Ti2Al N/Ti N复合材料的最佳温度为1 300℃,烧结试样的密度为4.30 g/cm3,达到理论密度的96.2%;放电等离子烧结工艺合成Ti2Al N/Ti N复合材料的最佳温度为1 200℃,烧结试样的密度为4.23 g/cm3,达到理论密度的94.7%。Ti2Al N和Ti N相均有团聚现象,Ti2Al N为片状形貌,晶粒发育完善,具有明显的层状结构特征;Ti N为尺寸1~2μm的四方小颗粒。严明 陈艳林 梅炳初 朱教群 2011武汉理工大学学报2011,33,1:1
7以氢化钛为钛源制备高纯Ti2AlN粉体及刻蚀行为显示文摘以氢化钛(TiH2)粉代替钛粉,与氮化铝(AlN)粉体混合,合成高纯的三元氮化物Ti2AlN陶瓷粉体。氢化钛与氮化铝按照摩尔比2∶1的配比,在混料机中混合12 h,然后放入流动氩气气氛保护的管式炉中高温处理。通过对在不同温度以及不同时间下进行热处理得到的产物进行物相分析,探究Ti2AlN的形成机理,发现在1400℃下保温2 h得到的Ti2AlN粉体纯度最高,约为96.2%(质量分数)。在同样条件下,以钛粉为钛源合成Ti2AlN粉体的纯度只有80.2%(质量分数)。因为氢化钛粉体价格低于钛粉,并且合成的样品纯度显著提高。所以,以氢化钛粉代替钛粉为钛源,合成Ti2AlN具有显著优势。同时研究了所合成Ti2AlN粉体在不同酸溶液(KF-HCl、NaF-HCl和NH4F-HCl)腐蚀行为。结果发现:将Ti2AlN(~2 g)浸入由2 g KF溶解在40 mL 6 M HCl的KF-HCl混合液中,在50℃下搅拌48 h得到碎片团簇型TiN。但是二维碳化物Ti2N MXene不能通过选择性刻蚀Ti2AlN的方法得到。郭奕彤 王军凯 胡前库 王李波 周爱国 2020功能材料2020,51,5:0
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