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| 1 | 微腔有机发光器件中的电致发光光谱(英文)显示文摘设计了结构为Glass/DBR/ITO/TPD/Alq3/Ag的微腔有机发光器件。从理论上详细地研究了腔内各层结构对器件电致发光谱性能的影响。结果表明:随着腔长厚度的增加,器件的归一化电致发光谱强度不断减小;在可见光区,器件的EL谱随发光层厚度的增加出现振荡变化。空穴传输层和发光层的界面位置对器件电致发光谱的影响也很大。最后得到,在设计微腔时发光层厚度要尽量窄,并且中心发光区域应位于谐振腔中电场的峰值位置。 | 闫玲玲 李宏建 张剑华 朱儒晖 欧阳俊 | 2007 | 发光学报2007，28，2： | 9 |
| 2 | ZnS作为空穴缓冲层的新型有机发光二极管显示文摘采用磁控溅射方法在ITO表面沉积了不同厚度的ZnS超薄膜作为有机发光二极管(OLEDs)的缓冲层,使典型结构(ITO/TPD/Alq3/Al)的OLEDs的发光性能得到改善。ZnS缓冲层厚度对器件性能影响的实验结果表明,当ZnS缓冲层厚度为5nm时,器件电流密度提高了近2倍,亮度提高了2倍;当ZnS缓冲层厚度为10nm时,器件发光的电流效率提高18%,器件的性能得到改善。宽禁带的ZnS缓冲层对空穴从阳极到有机功能层的注入有阻碍作用,促进器件载流子平衡,提高了器件发光效率,改善了器件性能。 | 仲飞 叶勤 刘彭义 翟琳 吴敬 张靖垒 | 2006 | 发光学报2006，27，6： | 9 |
| 3 | PMMA基底CdSe量子点光纤材料的制备及其光谱显示文摘塑料光纤在成本、光纤到户和短距离通信等方面与石英光纤相比具有优越性。在塑料光纤基底中掺入某些光放大介质(如量子点),可以制备出塑料光纤放大器。目前,对于量子点掺杂的塑料光纤材料的光学性能的研究还很少。报导了一种以聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)为基底的CdSe量子点光纤材料CdSe/PMMA。紫外-可见-近红外吸收谱以及荧光辐射谱测量表明,制备的CdSe量子点的尺寸单分散性较好,CdSe/PMMA的发射峰比CdSe的发射峰宽,其半峰全宽加宽了约10 nm。在波长为473 nm的激光持续照射下,CdSe/PMMA的荧光辐射强度不断增强,约12 h后发光强度趋稳,峰值强度增加约1倍,同时,荧光峰值波长出现蓝移,约25 nm,没有回复现象。由于CdSe/PMMA具有强荧光辐射和宽光谱的特点,因此有可能是一种较为理想的宽光谱光纤基底材料。 | 程成 王孙德 马德伟 | 2011 | 光学学报2011，31，3： | 7 |
| 4 | ZnSe(ZnS)纳米晶与MEH-PPV的共掺有机电致发光器件显示文摘采用水相法合成核壳结构ZnSe/ZnS纳米晶,经X射线衍射(XRD)分析和透射电子显微镜(TEM)表征,证实所制备的样品为立方晶型闪锌矿结构ZnSe/ZnS量子点。按照一定的质量比将ZnSe/ZnS纳米晶和有机聚合物MEH-PPV(poly[2-methoxy-5-(2'-ethyl hexyloxy-p-phenylenevinylene)])共掺并将其作为发光层,分别制备单层和多层有机电致发光器件,结构为ITO/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/Al和ITO/PEDOT∶PSS(70nm)/MEH-PPV∶ZnSe(ZnS)(50 nm)/BCP(15 nm)/Alq3(12 nm)/LiF(0.5 nm)/Al。实验结果表明,多层发光器件的发光特性与单层器件不同,工作电压的增大使其发光峰发生了明显的蓝移。 | 殷月红 邓振波 伦建超 吕昭月 杜海亮 王永生 | 2012 | 发光学报2012，33，2： | 6 |
| 5 | CdSe/CdS核壳量子点复合材料合成及其在白光发光二极管中的应用显示文摘采用有机化学合成法,利用正三辛基膦(TOP)辅助的快速注入生长方法,改进传统的制备工艺,实现了CdSe/CdS厚壳层核壳(8.6 ML)量子点复合材料的合成制备,并对所合成的核、核壳量子点及其复合材料的晶格结构、形貌特点与发光性质进行了XRD、TEM、SEM、UV-Vis、PL表征和红光补偿效果测试。测试结果表明,CdSe核具有立方纤锌矿晶格结构;CdSe/CdS量子点复合材料直径为45~75μm,呈菱形规则形貌,且颗粒分散性良好。采用该方法,可以提高量子产率,产率由4%(CdSe核)升至48%(CdSe/CdS核壳量子点);可以增强激子态发光能力,CdSe/CdS核壳量子点复合材料的荧光强度约为CdSe核的13倍。将该材料与YAG∶Ce^(3+)黄色荧光粉组合应用,获得了高光效(148.29 lm/W)、高显色指数(Ra为90.1,R9为97.0)的白光发光二级管,表明按照上述方法获得的CdSe/CdS核壳量子点复合材料在白光发光二极管中深红光波段具有较好的补偿效果。 | 安娜 卢睿 马昊玥 杨磊 郝俊杰 边盾 | 2017 | 发光学报2017，38，8： | 4 |
| 6 | 近红外波段InAs量子点结构与光学特性显示文摘采用分子束外延技术,分别在480,520℃的生长温度下,制备了淀积厚度2.7ML的InAs/GaAs量子点。用原子力显微镜对样品进行形貌测试和统计分布。结果表明,在相应的生长温度下,量子点密度分别为8.0×1010,5.0×109cm-2,提高生长温度有利于获得大尺寸的量子点,并且量子点按高度呈双模分布。结合光致发光谱的分析,在480℃的生长条件下,最近邻量子点之间的合并导致了量子点尺寸的双模分布;而在525℃的生长温度下,In偏析和InAs解析是形成双模分布的主要原因。 | 贾国治 姚江宏 舒永春 王占国 | 2007 | 发光学报2007，28，1： | 3 |
| 7 | 水溶性CdTe/CdS量子点的制备及发光特性显示文摘采用水相合成法,以三种不同的稳定剂:巯基乙醇,巯基乙酸和巯基乙胺制备了CdTe/CdS核壳结构的量子点.研究了反应时间和稳定剂的种类对量子点荧光的光学特性的变化趋势的影响.结果表明,随着量子点晶体生长时间的增加,量子点的荧光峰向红移,荧光发射强度增加,半峰宽几乎保持不变.稳定剂的种类对量子点的荧光发射峰的波长有较大的影响.采用CdS对CdTe进行包裹,制备壳核结构的CdTe/CdS量子点.包裹后能增强水相制备过程中量子点在水相中的荧光强度和发光稳定性,改变量子点的荧光特性.采用红外光谱,对稳定剂和量子点之间的连接关系进行了初步探讨,并采用透射电子显微镜,对CdTe/CdS量子点的微观形态进行观察. | 王军 费学宁 贾国志 | 2010 | 天津城市建设学院学报2010，16，4： | 2 |
| 8 | 氨系水相优化合成CdTe量子点的研究显示文摘用巯基丙酸(MPA)作稳定剂,无需氮气或氩气保护下,在氨系水相中通过超声合成CdTe量子点的前驱体,前驱体经水浴回流制备粒径可调的CdTe量子点.通过荧光和吸收光谱、透射电子显微镜和红外光谱对产物进行了表征.试验表明:反应时间、温度、pH值、Cd2+、HTe-、MPA的物质的量比,对量子点的粒径大小、粒径分布和粒径生长速度均有很大的影响.n(HTe-)∶n(Cd2+)∶n(MPA)=1:3:6,pH=9.8条件下合成前驱体,在92±1℃水浴下回流,可以快速获得长波长、高荧光的CdTe量子点,合成的量子点储存6个月后经稳态/瞬态荧光光谱仪测定,外量子效率仍为16.45%. | 林谦 苏英 陈秀宇 | 2012 | 宁德师范学院学报(自然科学版)2012，24，4： | 2 |
| 9 | 异丙醇对油溶性CdSe团簇量子点荧光的影响显示文摘为了探究异丙醇对胶体CdSe团簇量子点荧光光谱的影响,使用胶体化学法在油酸-石蜡体系下合成CdSe团簇量子点,对团簇量子点和异丙醇采用不同的混合比例,得到了其修饰之后的荧光发光谱(PL)和紫外吸收(UV)光谱,并采用曲线拟合的方法对团簇量子点的光学性能进行了研究。通过对AFM和傅里叶红外光谱的分析,探讨了CdSe团簇量子点光学性能改变的内在联系。结果表明:随着异丙醇浓度的增加,量子点的荧光峰出现11 nm的蓝移,且蓝移曲线呈阶梯状变化;相对荧光强度也呈现出先上升再下降的波动性变化,且波动幅度最大能达到1 000 a.u.;量子点的第一吸收峰和第二吸收峰都会发生不同程度的红移,且最大红移达到12 nm。 | 黄兆岭 白忠臣 郝礼才 廖莎 秦水介 | 2017 | 发光学报2017，38，6： | 0 |
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