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| 1 | 紫外探测器及其研究进展显示文摘最近 ,人们越来越关注紫外光的辐射与测量。本文主要介绍了紫外探测器的原理和研究现状。 | 郝瑞亭 刘焕林 | 2004 | 光电子技术2004，24，2： | 9 |
| 2 | 铜锌锡硫薄膜太阳电池及其研究进展显示文摘近些年,人们越来越关注太阳辐射的光伏利用。光伏发电技术在迅猛发展,薄膜太阳电池从占有主导地位的硅晶片技术中抢占了一定的市场份额。其中铜锌锡硫薄膜太阳电池因具有低成本、高的光电转化效率和吸收系数、合适的禁带宽度和环境友好等优点成为近年来薄膜太阳电池研究的热点。本文阐述了铜锌锡硫薄膜太阳电池的器件结构和性能特点,介绍了铜锌锡硫薄膜太阳电池的制备方法和研究进展,并对今后主要的发展方向进行了展望。 | 缪彦美 刘颖 郝瑞亭 邓书康 郭杰 刘焕林 | 2014 | 材料科学与工程学报2014，32，4： | 7 |
| 3 | 离子束溅射制备Si/Ge多层膜及红外吸收性能研究显示文摘采用离子束溅射方法在S i衬底上制备S i/Ge多层膜。通过改变生长温度、溅射速率等因素得到一系列S i/Ge多层膜样品。通过X射线衍射、拉曼散射、原子力显微分析(AFM)等表征方法研究薄膜结构与生长条件的关系。在小束流(10mA)、室温条件下制备出界面清晰、周期完整的S i/Ge多层膜。通过红外吸收谱的测量发现薄膜样品具有较好的红外吸收性能。 | 刘焕林 郝瑞亭 杨宇 | 2006 | 人工晶体学报2006，35，2： | 5 |
| 4 | GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长显示文摘采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整. | 郝瑞亭 徐应强 周志强 任正伟 牛智川 | 2007 | Journal of Semiconductors2007，28，7： | 5 |
| 5 | GaAs基短周期InAs/GaSb超晶格红外探测器研究显示文摘采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W. | 郭杰 彭震宇 鲁正雄 孙维国 郝瑞亭 周志强 许应强 牛智川 | 2009 | 红外与毫米波学报2009，28，3： | 5 |
| 6 | 基于苯并吡喃腈-香豆素体系的近红外比率型荧光探针用于检测He La细胞中的过氧亚硝酸盐(英文)显示文摘过氧亚硝酸根(ONOO-)是生物体内的一种重要的活性氧,与人体内的各种生理活动息息相关.利用苯并吡喃腈-香豆素体系,合成了一种用于ONOO-检测的近红外比率型荧光探针(E)-7-(二乙胺基)-3-(2-(苯并吡喃腈)乙烯基)-香豆素(DCCM).该探针在ONOO-存在下表现出强烈的响应,颜色从紫色变为浅粉色,最大发射峰蓝移217nm,荧光颜色从淡紫色变为蓝色,能够直观地对溶液中的ONOO-进行监测. DCCM可以灵敏地检测ONOO^-,最低检测限为6.0×10^-7 mol·L^-1,该探针被成功用于HeLa细胞中的ONOO-成像检测. | 陈宇 毕克英 郝瑞亭 谢萍 黄丽娜 王玉敏 张俊峰 徐锐 吴相华 | 2020 | 有机化学2020，40，2： | 4 |
| 7 | 退火温度对分步溅射制备铜锌锡硫薄膜性能的影响显示文摘利用ZnS、SnS、CuS三种二元硫化物靶,分步溅射制备了铜锌锡硫(CZTS)薄膜,并在不同温度下进行退火。研究了退火温度对薄膜晶体结构、组分、表面形貌及光学特性的影响。结果表明,当退火温度为400℃时,CZTS薄膜中含有Cu_2S及SnS等多种二次相;随着退火温度的升高,二次相的种类逐渐减少,当退火温度为550℃时,薄膜的表面平整致密,二次相种类最少;然而,当退火温度为600℃时,薄膜表面变得粗糙,二次相种类增多。 | 赵其琛 郝瑞亭 刘思佳 杨敏 陆熠磊 刘欣星 常发冉 | 2017 | 激光与光电子学进展2017，54，9： | 3 |
| 8 | MBE方法在GaAs(001)衬底上外延生长GaSb膜显示文摘利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(HallEffect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性能和光学质量进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。引入GaSb/AlSb超晶格可有效阻断进入GaSb外延层的穿通位错,对应的PL谱强度增强,材料的光学质量变好。 | 郝瑞亭 申兰先 邓书康 杨培志 涂洁磊 廖华 徐应强 牛智川 | 2010 | 功能材料2010，41，4： | 3 |
| 9 | InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的阳极硫化显示文摘采用分子柬外延技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管.用阳极硫化和ZnS薄膜对二极管表面进行钝化处理后,二极管漏电流密度降低了三个数量级,零偏阻抗R。达到10^6Q,RoA达到10^3Qcm2.通过测量电流密度与光敏元周长面积比的关系可知表面漏电不是主要漏电成分;电容电压特性曲线表明吸收层i层背景掺杂浓度约4~5×10^14cm.在空气中放置一个月后再次测试,发现响应率和探测率几乎没有变化.与化学硫化和siO2薄膜钝化方法相比,阳极硫化方法是一种更简单和有效的钝化方法. | 郭杰 郝瑞亭 段剑金 许林 李银柱 | 2014 | 光子学报2014，43，1： | 3 |
| 10 | 磁控溅射制备CZTS薄膜的研究显示文摘本文采用单周期和多周期磁控溅射ZnS-SnS-Cu制备CZST薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、高倍光学显微镜、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)和热探针对所制备的CZTS薄膜的晶体结构、拉曼位移、表面形貌、化学组分和导电类型进行研究分析。分析结果表明所制备CZTS薄膜的粘附性和结晶质量随着溅射周期的增加得到很大的改善所制备的CZTS无Cu_(2-x)S等其它二次相,且薄膜表面光滑、晶粒均匀致密、无孔洞。所制备的CZTS薄膜在化学组分是贫铜富锌(Cu/Zn+Sn≈0.88,Zn/Sn≈1.09),符合高效率太阳能电池吸收层的要求。 | 李志山 王书荣 蒋志 杨敏 刘涛 郝瑞亭 | 2015 | 硅酸盐通报2015，34，S1： | 2 |
| 11 | InAs/GaSb超晶格中波红外二极管的Ⅳ特性研究显示文摘采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb衬底上生长了pin结构的InAs(8ML)/GaSb(8ML)超晶格中波红外光电二极管。经过(NH4)2S表面钝化后的Ⅳ特性曲线表明:低的正偏压下,理想因子n在2左右,势垒区的复合电流起主要作用;偏压超过0.14 V时,n在1左右,少子扩散电流占主。表面势垒区中过多的Ⅲ族元素的空位缺陷导致表面出现大量复合中心。采用阳极硫化后,表面漏电大大减小,反偏漏电流密度降低三个数量级,零偏阻抗R0达到106欧姆,R0A达到103量级。 | 郭杰 张小雷 段剑金 郝瑞亭 许林 | 2014 | 红外与激光工程2014，43，7： | 2 |
| 12 | Ge诱导晶化多晶Si薄膜的制备及结构表征显示文摘采用测控溅射,通过Ge诱导晶化法在Si衬底上制备多晶Si薄膜。采用Raman光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及场发射扫描电镜(FESEM)等对所制备的薄膜进行表征。结果表明,当生长温度为800℃时,Ge有诱导非晶Si(a-Si)薄膜晶化的作用,所制备的多晶Si薄膜在(200)方向具有择优取向,且在此方向对应的晶粒尺寸约为53.7 nm。表面粗糙度为2.39 nm,表面平均晶粒尺寸约为69 nm。 | 邓书康 康昆勇 郝瑞亭 申兰先 田晶 涂洁磊 廖华 杨培志 | 2011 | 光电子.激光2011，22，1： | 2 |
| 13 | 化学浴沉积法制备ZnS薄膜的结构及可见-近红外光谱特性研究显示文摘采用化学水浴法,以Zn SO4、柠檬酸钠、NH3·H2O、SC(NH2)2为反应物,在玻璃衬底上制备了Zn S薄膜,采用XRD、SEM、分光光度计、台阶仪等手段研究了水浴温度、沉积时间、p H值等条件对Zn S薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性能的影响。结果表明,Zn S薄膜经退火后出现明显特征衍射峰,为闪锌矿结构,可见光范围内平均透过率均大于80%。经过工艺优化,在水浴温度为80℃、沉积时间为1 h、p H=10条件下沉积的Zn S薄膜表面均匀致密,可见光范围内平均透过率为89.6%,光学带隙为3.82 e V,适合做铜铟镓硒和铜锌锡硫薄膜太阳电池的缓冲层。 | 刘颖 缪彦美 郝瑞亭 郭杰 杨海刚 | 2015 | 人工晶体学报2015，44，3： | 2 |
| 14 | GaSb衬底上分子束外延生长的低温GaSb薄膜的低缺陷表面(英文)显示文摘系统地研究了随着GaSb薄膜生长温度的降低,Sb/Ga(V/III)比的变化对薄膜低缺陷表面质量的影响.为了获得良好表面形貌的GaSb外延层,生长温度与V/III比均需要同时降低.当Sb源裂解温度为900℃时,生长得到低缺陷表面的低温GaS b薄膜的最佳生长条件是生长温度为在再构温度的基础上加60℃且V/III比为7.1. | 郝瑞亭 任洋 刘思佳 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川 | 2017 | 红外与毫米波学报2017，36，2： | 2 |
| 15 | Cu_2ZnSnS_4粉体材料的制备及其性能研究显示文摘采用固相反应法制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)粉体材料,利用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对样品的形貌和晶体结构进行了表征,采用紫外-可见-近红外分光光度计对样品的光学性能进行了测试,研究了热处理温度对CZTS样品的晶体结构、光吸收系数和禁带宽度等性能的影响关系.研究结果表明:使用固相反应法在热处理温度高于500℃时,得到的CZTS粉体材料结构为典型的锌黄锡矿晶体结构,其禁带宽度为1.45eV,SEM照片显示样品粒径为50μm的粉体.该材料可以用来压制CZTS靶材,可以用在CZTS薄膜材料的制备领域. | 张基东 杨海刚 郝瑞亭 宋桂林 王天兴 常方高 | 2013 | 河南师范大学学报(自然科学版)2013，41，2： | 2 |
| 16 | 电化学沉积法制备Cu2ZnSnS4薄膜电池显示文摘采用简单的两电极电化学沉积金属薄膜技术,在镀钼的钠钙玻璃衬底上共沉积Cu-Sn层后,再沉积Zn金属层,制备出Cu-Sn-Zn金属预制层。在不同的温度下进行低温退火后,以硫粉作为硫源高温硫化金属预制层,制备出晶体质量较好的Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征,发现共沉积Cu-Sn层,再沉积Zn金属层得到的CZT预制层表面平整但晶粒尺寸较小,经过退火处理后晶粒尺寸得到改善,且硫化后所得到的CZTS薄膜不易从Mo衬底上脱落,粘附性较强。用其制备的CZTS薄膜太阳电池的开路电压Voc=569mV,短路电流密度Jsc=8.58mA/cm2,光电转换效率为1.40%。 | 杨敏 蒋志 李志山 刘涛 刘思佳 郝瑞亭 王书荣 | 2016 | 材料科学与工程学报2016，34，4： | 1 |
| 17 | High material quality growth of AlInAsSb thin films on GaSb substrate by molecular beam epitaxy显示文摘In this paper, high material quality Al_(0.4) In_(0.6) AsSb quaternary alloy on GaSb substrates is demonstrated. The quality of these epilayers is assessed using a high-resolution x-ray diffraction, Fourier transform infrared(FTIR) spectrometer,and atomic force microscope(AFM). The x-ray diffraction exhibits high order satellite peaks with a measured period of 31.06 ?(theoretical value is 30.48 ?), the mismatch between the GaSb substrate and AlInAsSb achieves-162 arcsec,and the root-mean square(RMS) roughness for typical material growths has achieved around 1.6 ? over an area of 10 μm×10 μm. At room temperature, the photoluminescence(PL) spectrum shows a cutoff wavelength of 1.617 μm. | 常发冉 郝瑞亭 齐通通 赵其琛 刘欣星 李勇 顾康 郭杰 王国伟 徐应强 牛智川 | 2019 | Chinese Physics B2019，28，2： | 1 |
| 18 | GaSb/GaAs异质结热光伏电池材料的MBE生长显示文摘利用分子束外延方法(MBE)在GaAs(001)衬底上外延生长了GaSb薄膜,并对GaSb薄膜进行了高温退火研究,利用高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、原子力显微镜(AFM)、Hall效应(Hall Effect)和低温光荧光谱(LTPL)等手段对薄膜的晶体质量、电学性质和光学性质进行了研究。发现直接生长的GaSb膜表面平整,空穴迁移率较高。研究发现30 s、650℃的快速热退火可消除位错等缺陷,显著提高GaSb薄膜的光学质量。 | 郝瑞亭 郭杰 刘颖 缪彦美 徐应强 | 2014 | 人工晶体学报2014，43，5： | 1 |
| 19 | 掺杂ZnO薄膜研究显示文摘采用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备ZnO薄膜和掺杂ZnO薄膜.通过X射线衍射、台阶仪及Hall效应等测试研究了衬底温度和掺杂对晶体质量和电学性能的影响,发现原位生长的ZnO薄沿c轴择优生长,且掺杂ZnO薄膜具有低达3.029×10-4Ω·cm的电阻率. | 郝瑞亭 刘焕林 杨宇 | 2004 | 功能材料2004，35，z1： | 1 |
| 20 | 磁控溅射法制备铜锌锡硫薄膜电池显示文摘采用磁控溅射法,先在镀钼的钠钙玻璃衬底上共溅射Cu、Sn金属层后,然后在顶部溅射一层Zn S,制备出Cu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜的预制层。对预制层进行低温合金,然后以硫粉作为硫源在石英管中进行高温硫化,得到表面平整但晶粒较小的CZTS薄膜。通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及能谱仪(EDS)分别对薄膜的晶体结构、表面形貌和薄膜组分进行分析表征;并用拉曼光谱表征了CZTS相的纯度。最后用所得到的CZTS薄膜制备了太阳电池,其开路电压:Voc=442 m V,短路电流密度:Jsc=5.08 m A/cm^2,光电转换效率达到0.62%。 | 杨敏 王书荣 蒋志 李志山 刘思佳 郭任君 唐语 郝瑞亭 杨培志 | 2015 | 硅酸盐通报2015，34，S1： | 1 |
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